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IBM开发成功性能高于硅的碳纳米管FET-资讯灌装系统
2022年11月01日
IBM开发成功性隔离柱能高于硅的碳纳米管FET-资讯
(华强电子世界网讯)IBM公司日前开发出了碳纳米管FET(电泳仪场效应晶体管),与目前的硅FET相比,其电流驱动性能指标--互导(Tran腐蚀机sconductance)提高到了2倍左右。 互导是漏极电流与栅极吸塑模具电压的比率,其数值越大工作速度也就越高。IBM制造出了具有和原来的硅MOS FET相似结构的碳纳米管FET,并对硅FET和碳纳米管FET进行了比较(图)。在单层碳纳米管上形成栅绝缘膜和栅电极,并构成FET。 电气特性方面,亚阀值特性变化快速,低电压时具有高互导性能。另外,IBM还成功地开发出了p型和n型两种晶体管,这样就能够制造出CMOS电路。通常情况下,硅晶体管的栅绝缘膜厚度越薄,沟道长度越短,其性能就越高,但此次开发彩虹机的碳纳米管FET不需进行尺寸优化就超过了硅FET的性能。因此今后如果能降低栅极长度和栅绝缘膜厚度,就能进一步提高其性能。(编辑 云彬)
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